意法半导体650V超接面MOSFET：能效和安全系数更高

意法半导体的MDmesh M2系列产品拥有最新、最先进的超接面技术MOSFET，具有比上一代产品更低的导通电阻（RDS(ON)），以及更低的闸极电荷（QGD）和输入/输出电容（Ciss/Coss），可满足家电、低功耗照明以及太阳能微逆变器对电源能效的要求，同时提供更高的可靠性和最新且可满足高功率密度的封装选项。
 
与市场现有的600V典型产品相比，意法半导体的新产品将崩溃电压提高至650V，确保新产品具有更高的安全系数，让设备厂商能够设计更稳固且更可靠的系统。此外，这些产品更进一步降低了能源消耗和热散逸（heat dissipation），让开发人员能更快设计出更高效的产品。
 
新系列产品还增加了一款采用表面黏着封装的PowerFLAT 5x6 HV高电压产品，虽然封装面积和厚度都很小，但却拥有极佳的热性能和电流处理能力，预计于2015年第一季投入量产。而PowerFLAT 5x6 HV封装是太阳能微逆变器的理想选择，为尺寸精巧的家用和商用逆变器组件带来MDmesh M2产品的能效优势。
 
22 MDmesh M2 650V MOSFET现已上市，最大额定电流范围为4A至11A，最低导通电阻RDS(ON)降至0.360Ω。STD6N65M2采用D2PAK封装。