Category Archives: 太阳能

组件横排竖排发电量到底差多少?

作者 | 发布日期: 2018 年 05 月 24 日 14:07 |
| 分类: 新能源知识
在光伏电站中,组件横向排布还是竖向排布算是一个老生常谈的问题了。在过去也有过不少文章对此进行过介绍:根据组件旁路二级管设置的特点,当部分组件被前排组件遮挡时,组件横向布置相对于组件竖向布置,能够保留更多的发电能力。如图1所示,横向布置的组件最下面一排电池片受到遮挡后,由于旁路二极...  [详内文]

如何减慢组件功率衰减的速度?

作者 | 发布日期: 2018 年 05 月 22 日 13:44 |
| 分类: 新能源知识
一、绪论 在光伏行业发展形势一片大好的情况下,光伏行业也出现了一些问题,其中光伏组件功率衰减幅度较大的问题,对电站运营者及组件厂商影响都比较大。本文试图从多个方面分析组件功率衰减的原因,尽量在生产中避免,提高组件质量,以减少电站运营者的投诉,提高自身声誉。 二、原因分析 目前市场...  [详内文]

0.5+0.5>1!半片组件如何做到降本增效!

作者 | 发布日期: 2018 年 05 月 17 日 14:55 |
| 分类: 新能源知识
前不久朋友圈里发了一组视频,是关于半片组件和常规组件在阴影遮挡下的输出性能对比,从水流的大小非常直观地反映了半片组件的抗遮挡性能,但是作为一名技术达人,我们还需要通过数据来进行深入的分析。 半片组件的抗遮挡性能 由于半片组件的特殊结构,当发生阴影遮挡,从理论上来说,由于旁路二极管...  [详内文]

反孤岛装置的组成、功作原理

作者 | 发布日期: 2018 年 05 月 16 日 16:19 |
| 分类: 新能源知识
据国家电网分布式光伏发电典型设计规范要求,分布式光伏发电要求安装反孤岛保护装置。分布式反孤岛保护装置其实是一个成套的柜子,安装在变压器侧。那么反孤岛装置由哪些主要设备组成。 壳体:反孤岛保护装置属于户外安装的控制保护柜,一般材质是304不锈钢,防护等级在IP44以上。一般安装在变...  [详内文]

PCC太阳能电池

作者 | 发布日期: 2018 年 05 月 15 日 18:05 |
| 分类: 新能源知识
斯但福大学研发的PPC电池单晶硅高效电池的典型代表。PPC是的背面点接触(Point—contact cell)的缩写。点接触电池的结构与PERL电池一样,用TCA生长氧化层钝化电池正反面。为了减少金属条的遮光效应,金属电极设计在电池的背面。电池正面采用由光刻制成的金字塔(绒面)...  [详内文]

LBSF太阳能电池

作者 | 发布日期: 2018 年 05 月 15 日 18:03 |
| 分类: 新能源知识
LBSF电池是深结局部背场 (Local Back Surface Fields)电池的简称,由德国Fraunhofer研究所研发,2cm×2cm电池效率达到23.3%。 来源:微博@和海一样的新能源 ...  [详内文]

LGBC太阳能电池

作者 | 发布日期: 2018 年 05 月 15 日 18:00 |
| 分类: 新能源知识
LGBC电池是有激光刻槽埋栅电极 (Laser groove bury contact) 工艺电池的简称。由UNSW开发的技术,是利用激光技术在硅表面上刻槽,然后埋入金属,以起到前表面点接触栅极的作用。如图所示,发射结扩散后,用激光在前面刻出20μm宽、40μm深的沟槽,将槽清洗...  [详内文]

EWT太阳能电池

作者 | 发布日期: 2018 年 05 月 15 日 17:58 |
| 分类: 新能源知识
EWT 电池是发射极环绕穿通(emitter-wrap-through,EWT)硅太阳能电池的简称。 与MWT电池不同的是,在EWT电池中,传递功率的栅线也被转移至背面。与MWT电池类似,EWT电池也是通过在电池上钻微型孔来连接上、下表面。相比MWT电池的每块硅片约200个通孔,...  [详内文]

HIT太阳能电池

作者 | 发布日期: 2018 年 05 月 15 日 17:51 |
| 分类: 新能源知识
HIT 电池是异质结( hetero-junction with intrinsic thin-layer , HIT) 太阳能电池的简称。1997年,日本三洋公司推出了一种商业化的高效电池设计和制造方法,电池制作过程大致如下:利用PECVD在表面织构化后的N型CZ-Si片的正面...  [详内文]

提高晶硅太阳能电池转换效率的方法

作者 | 发布日期: 2018 年 05 月 15 日 17:48 |
| 分类: 新能源知识
(1) 光陷阱结构 :一般高效单晶硅电池采用化学腐蚀制绒技术,制得绒面的反射率可达到10%以下。目前较为先进的制绒技术是反应等离子蚀刻技术(RIE),该技术的优点是和晶硅的晶向无关,适用于较薄的硅片,通常使用SF6/O2混合气体,在蚀刻过程中,F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的...  [详内文]