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GTAT前沿HiCz(TM)技术获QSE青睐 将提供太阳能单晶直拉炉

作者: | 发布日期: 2014 年 06 月 30 日 9:12 | 分类: 产业资讯

GT Advanced Technologies Inc.29日宣布，公司专有的新一代HiCz连续加料直拉技术赢得了一个新项目，可望促进太阳能产业向更高效率及更低成本的太阳能材料过渡。公司与Qatar Solar Energy达成协议，向QSE于卡塔尔在杜哈的集成太阳能制造专案提供HiCz(TM)200熔炉。

HiCz是GT专有的新一代太阳能行业的单晶直拉炉，可生产p型及n型单晶晶棒。 HiCz连续加料长晶工艺比传统的间歇式Cz熔炉更具明显优势，使得其更适合n型硅锭生产。该工艺流程通过增加产量降低芯片的成本，并有助于提高太阳能电池片的效率。GT太阳能业务部行政副总裁Dave Keck表示，GT的HiCz 200熔炉可望生产效率超过22%的优质n型太阳能电池片。

QSE已实现了300 MW产能的综合设施，并将进一步扩大至2.5 GW。该供应协议须待QSE通过政府批准及融资成功后方可作实，届时GT将获得来自QSE的设备订单。

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