铸锭单晶产品兼具多、单晶技术优点 更好的兼容下游终端产品

作者: | 发布日期: 2018 年 07 月 31 日 10:10 | 分类: 产业资讯

7月27日,在上海市太阳能学会年会暨先进技术集成研讨会上,江苏协鑫硅材料科技发展有限公司技术服务部经理黄春来作《GCL铸锭单晶技术进展》报告。他认为,铸锭单晶产品兼具多、单晶技术优点,和Cz单晶相比,将为客户带来更多价值。

黄春来认为,多晶铸锭硅片产品技术优势为高产能、低光衰、低封装损失;Cz单晶产品转换效率高、位错密度低、可以采用碱制绒工艺,采用铸锭方法生产的单晶硅片兼具二者技术优势。下游客户使用反馈,叠加PERC技术后,铸锭单晶与Cz单晶效率差仅为0.18%,而成本大幅降低。

“铸锭单晶产品的低光衰源于铸锭工艺特性和掺镓技术”,黄春来表示,数据显示,常规硼掺杂铸锭单晶硅片的氧含量仅为Cz单晶硅片的40%,可显著降低硼氧复合导致的光致衰减;另一方面,铸锭单晶通过采用镓元素部分代替硼元素,可以从源头上减少硼氧复合体的产生,光衰比Cz单晶产品低0.5%以上,长期发电量更高。

黄春来表示,铸锭单晶硅片还可以更好的兼容下游终端产品,其平台技术可自由叠加半片、叠瓦、双玻双面等电池和组件技术,由于不存在缺角,半片组件比Cz单晶组件更美观;在不允许缺角的叠瓦组件制造时,其硅片面积100%可利用,比Cz单晶面积大2%。高效铸锭单晶组件(60片)可以封装到310瓦。

以Cz单晶组件为基准,黄春来测算了铸锭单晶组件的度电成本。数据显示,在同功率输出的条件下,铸锭单晶组件价格比Cz单晶低0.06元/瓦,度电成本低0.006元/度。

黄春来介绍,保利协鑫2011年即开始研究铸锭单晶硅片技术,已经发布第三代产品。目前,保利协鑫铸锭热场工艺、锭检设备、产品品质全面升级,对称性热场,分段式加热控制有效降低位错,实现高品质整锭单晶。继金刚线切黑硅片之后,铸锭单晶硅片将成为对市场有重大影响的差异化产品。

文章来源:PV-Tech

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