协鑫:政策倾斜引发单多晶大战

作者: | 发布日期: 2017 年 04 月 28 日 13:49 | 分类: 产业资讯

单多晶之争愈演愈烈,政策支持、技术、价格、度电成本无一不争,这场战火甚至卷入了传媒界。保利协鑫副总裁吕锦标认为,技术消长是太阳能产业界的常态,政策的倾斜直接引发战火,讯息传播则助长战况延烧。

在SNEC 2017会前,吕锦标接受中国大陆光伏媒体的专访,讨论光伏产业链的市场趋势与技术发展等问题。其中,单多晶之争是备受关注的问题。吕锦标表示,协鑫2016年的硅片销量达17.5GW,且大多是多晶。虽然市场上传言协鑫会扩10GW单晶硅片产能,但目前实际建成的只有1GW多而已,且新设产能的技术目标是N型而非现在主流的P型。

真正的战场

吕锦标认为,当前的单多晶之争是一种“口水战”,而源头有二:国家政策的倾斜、媒体操作的讯息渲染。

太阳能是一种能源,度电成本才是技术发展的关键,因此业界均以平价上网为终极目标。在此目标下,各种技术持续竞合,价格也随之降低;例如单晶早已导入的金刚线切近来也陆续有多晶硅片采用,并为解决表面过于光滑的问题而应用黑硅技术等。

吕锦标直指中国大陆的“领跑者计划”对单晶的倾斜是造成这波单多晶之争的主要原因,并认为该标准是“失误”。他表示,能源局在2016年制定门槛标准时参考了公信部在2015年推出的光伏制造行业规范条件,以当时单、多晶组件分别是16%与15.5%的效率各自提高1%,因此订出17%与16.5%的门槛。然而,工信部的标准其实是为了扶植单晶产业、加速淘汰低效多晶产能而定,能源局在采定规范时的错误,造成了后续单晶大受政策鼓舞而多晶则左支右绌的情形。

吕锦标指出,能源局已经准备修订领跑者计划门槛,分别制定单多晶的的标准,未来将能改善多晶处境,也使单多晶的竞争更为公平。此外,他也呼吁媒体业要坚守专业,避免选边站和资讯误导。

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