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GCL发布高效多晶硅片鑫多晶S3

作者: | 发布日期: 2013 年 05 月 16 日 10:27 | 分类: 产业资讯

保利协鑫能源控股有限公司日前在上海SNEC 2013上宣布,第三代高效多晶硅片产品——鑫多晶S3研发再获成功。

据多家客户测试资料回馈,鑫多晶S3较S2的光电转换平均效率提高0.3-0.4%、效率分布集中度提高15%以上,硅片性能再次大幅度提升,可用于制备255/260W(60片)、305/310W(72片)电池组件,满足高端客户需求。

在现有多晶伏电池技术条件下,鑫多晶S3的晶体结构特点能有效提升入射光吸收率,降低体载流子、表面载流子复合率,减少欧姆接触电阻,进而极大提升光电转化效率。

保利协鑫执行总裁舒桦先生表示,由于高效电池片及组件能够有效降低光伏发电的BOS成本,因而成为光伏行业发展的潮流,而245W以下的组件(60片)未来的生存空间将十分有限。在目前行业的低迷期,高效多晶硅片‘鑫多晶S2’依然赢得高出货量,已充分印证了这一趋势。

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