HJT 的 GW 级扩张时代:产能扩张与降本的交互演进

作者: | 发布日期: 2020 年 07 月 01 日 10:29 | 分类: 产业资讯

异质结效率提升潜力大:短中期效率目标 25%。

1.5%的效率差为 HJT 相比 PERC 性价比不弱势的临界点,PERC 通过技术优化有望站上 23.5%的效率水平,意味着 HJT 至少要实现 25%以上的效率才有望在 PERC 效率向更高水平优化的同时实现性价比上对 PERC 的超越。光注入退火、MBB、RPD 镀膜是业内目前已探索出的三类可支撑 HJT 提效至24%的关键技术。从最新的产业化效率来看,HJT 产业化效率提升进展顺利,今明两年效率目标 24%——24.5%,短中期达到 25%的效率目标值得期待。

HJT 的 GW 级扩张时代:产能扩张与降本的交互演进。

相比 PERC,HJT 的工程量产能力涉及更多 know-how,高度依赖经验积累和系统集成能力。结合现场专家分享和我们对于行业发展阶段的理解,我们将HJT 的产业化进程划分为以下三个阶段:工艺验证的探索期、做熟工艺逐步降本的 GW 级量产期以及建立产业生态后的产能爆发期。当前异质结技术正处于工艺验证探索阶段,装备、工艺、材料通过验证后有望开启 GW 级规模扩张时代,伴随着产能扩张带来的规模效应显现和核心装备、材料国产化,HJT可实现成本的进一步下降,度过培育期进入产能爆发的收获期。异质结技术降本路径逐步清晰,硅片、靶材、银浆、装备四个环节均可见清晰的成本下降路线。

1)硅片端:大尺寸+薄片化助力异质结降本;

2)靶材:国产化+规模效应有望降低单耗及价格;

3)金属化:MBB 技术导入降低银浆单耗,优势得以显现;

4)装备:国产设备已实现先期导入,后续可带动产线投资成本进一步降低。

 

文章来源:华创证券

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