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保利协鑫发布“鑫单晶G2” 平均光电转换率逾19%

作者: | 发布日期: 2013 年 12 月 24 日 9:21 | 分类: 产业资讯

多晶硅龙头保利协鑫能源近日发布第二代类单晶硅片产品“鑫单晶G2”。相较于第一代类单晶产品G1,“鑫单晶G2”平均光电转换效率超过19%,提升了1.1%,可用于制备280/335W(60/72PCS)以上电池组件。

相较于以传统直拉法制得的单晶产品,“鑫单晶G2”在电池制备过程中有0.5%的额外效率增益,光衰平均低1%,具有转换效率相近、面积大、封装损失低等特点。

“鑫单晶G2”,加上原有的“鑫单晶G1”,高效多晶S1、S2、S3,经过不同的电池工艺,可制备从250/300W(60/72PCS)到290/345W (60/72PCS)多种功率的组件产品。

保利协鑫人员表示,第二代类单晶硅片产品“鑫单晶G2”,预计于明年进入商业化量产。

据悉,保利协鑫明年的硅片产能,有望从目前的8GW提升到10GW。而正在推行的硅烷流化床技术,可降低多晶硅生产成本至约10美元/公斤。

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