单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的芯片，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的芯片，则形成多晶硅。多晶矽与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大型积体电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子电脑、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。

高纯度硅在石英中提取，以单晶硅为例，提炼要经过以下过程：石英砂一冶金级硅一提纯和精炼一沉积多晶硅锭一单晶硅一硅片切割。

随着科技日新月异的发展，光伏发电技术在国内外均得到了广泛的应用，其应用形式多种多样，应用场所分布广泛，主要用于大型地面光伏电站、住宅和商用建筑物的屋顶、建筑光伏建筑一体化、光伏路灯等。在这些场所，不可避免的会出现建筑物、树荫、烟囱、灰尘、云朵等对太阳能电池元件造成遮挡。因此，人们关心的是此类情况对太阳能电池的发电效率影响有多大,又该如何解决呢？

在实际应用中，太阳能电池一般是由多块电池组件串联或并联起来，以获得所期望的电压或电流的。为了达到较高的光电转换效率，电池组件中的每一块电池片都须具有相似的特性。在使用过程中，可能出现一个或一组电池不匹配，如：出现裂纹、内部连接失效或遮光等情况，导致其特性与整体不谐调。在合理的光照条件下，一串联支路中被遮蔽的光伏电池，会由发电单元变为耗电单元，被遮蔽的  光伏电池不但对元件输出没有贡献，而且会消耗其它电池产生的电力，此时会发热，这就是热斑效应。

太阳能电池的转换效率也会因为电子-空穴对在被有效利用之前复合而降低。适当波长的光照射在半导体上会产生电子-空穴对，因此，光照射时材料的载流子浓度将超过无光照时的值。如果切断光源，则载流子浓度就衰减到它们平衡时的值。这个衰减过程通称为复合过程。下面介绍几种不同的复合机理。

(1)辐射复合

辐射复合就是光吸收过程的逆过程，电子从高能态返回到较低能态，同时释放光能。这种复合方式在半导体雷射器和发光二极管中适用，但是对矽太阳能电池来说并不显著。

(2)俄歇复合

俄歇复合就是碰撞电离效应的逆过程。电子和空穴复合释放出多余的能量，这些多余的能量被另一个电子吸收，随后，这个吸收了多余能量的电子弛豫返回原先的能态并释放出声子。俄歇复合在掺杂较重的材料中尤其显著。当杂质浓度超过1017cm-3时，俄歇复合成为最主要的复合过程。

(3)通过陷阱的复合

半导体中的杂质和缺陷会在禁带中产生允许能级。这些缺陷能级引起一种很有效的两级复合过程。在此过程中，电子从导带能级弛豫到缺陷能级，然后再弛豫到价带，结果与一个空穴复合。(4)表面复合

太阳能电池组件(光伏组件)是由一定数量的太阳能电池片通过导线串、并联连接并加以封装而成。一个组件中，太阳电池的标准数量是36片(10cm x 10cm)，这意味着一个太阳电池组件大约能产生17V的电压，正好能为一个额定电压为12V的蓄电池进行有效充电。目前的光伏元件输出功率大到数百瓦不等。

太阳能电池片封装成组件后能够提供足够的机械强度、抗振和抗冲击能力；具有良好的密封性，能够防腐、防风、防雹、防潮；具有良好的电绝缘性；能够抗紫外线辐射等。其潜在的品质问题可能发生在边沿的密封以及组件背面的接线盒。

根据光伏工程安装的需要，当应用领域需要较高的电压和电流而单个组件不能满足要求时，可把多个组件通过串联、并联组装成“太阳电池方阵”也叫“光伏阵列”，以获得所需要的电压和电流，其功率可以根据实际需求组合确定。